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FFP008S60SN —
STEALTH? II Diode
www.fairchildsemi.com
3
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FFP008S60SN Rev. C1
Typical Performance Characteristics
Figure 3. Typical Forward Voltage Drop
vs. Forward Current
Figure 4. Typical Reverse Current vs.
Reverse Voltage
Figure 5.Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Reverse Recovery Time
vs. di
F/dt
Figure 7. Typical Reverse Recovery
Current vs. di
F/dt
Figure 8. Forward Current Derating Curve
100 200 300 400 500 600
0.001
10
0.01
0.1
1
10
40
TC
= 75
oC
TC
= 25
oC
TC
= 125
oC
Reverse Current , I
R
[
?
A
]
Reverse Voltage, VR
[V]
0.1
012345
1
10
20
TC
= 125
oC
TC
= 75
oC
Forward Current, I
F
[A]
Forward Voltage, V
F
[V]
TC
= 25
oC
0
0.1 1 10 100
10
20
30
40
50
Typical Capacitance
at 0V = 43 pF
Capacitances , Cj [pF]
Reverse Voltage, VR[V]
10
100 200 300 400 500 600
20
30
40
IF
= 8A
TC
= 75
oC
TC
= 25
oC
TC
= 125
oC
Reverse Recovery Time, t
rr
[ns]
diF/dt [A/?s]
= 8A
0
F
100 200 300 400 500 600di
F/dt [A/?s]
2
4
6
8
10
I
TC
= 125
oC
TC
= 25
oC
TC
= 75
oC
Reverse Recovery Current, I
rr
[A]
025 50 75 100 125 150
5
10
15
Average Forward Current, I
F(AV)
[A]
Case temperature, TC
[oC]
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